K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WC-BCTD von Samsung Electronics und K4A8G165WC-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $41,20 | $1,31 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 2666 Mbps (DDR4-2666) | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | 0C to +95C |
| Gehäuse | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Revision | C-die | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes (240 ohm resistor to GND) | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speichergröße | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Schnittstelle | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |