K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB 비교
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Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $41.20 | $1.31 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (DDR4-2666) | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| 동작 온도 | 0C to +95C | 0C to +95C |
| 패키지 | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Revision | C-die | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes (240 ohm resistor to GND) | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| 인터페이스 | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| 특징 | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |