K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG085WM-BCTD von Samsung Electronics und K4AAG085WM-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG085WM-BCTD | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,95 | $7,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Gehäuse | FBGA-78 | 78FBGA |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Schnittstellentyp | Parallel (DDR4) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Rate | 1333 MHz | — |
| Datenrate | 2666 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups | Yes (DDR4) |
| Density Class | 16 Gbit monolithic DRAM | — |
| Application Class | Industrial / embedded memory | Memory IC / Storage Component |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Density | — | 16 Gb |
| Schnittstelle | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |