K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WM-BCTD por Samsung Electronics y K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WM-BCTD | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,95 | $7,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Tipo de interfaz | Parallel (DDR4) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Rate | 1333 MHz | — |
| Velocidad de datos | 2666 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups | Yes (DDR4) |
| Density Class | 16 Gbit monolithic DRAM | — |
| Application Class | Industrial / embedded memory | Memory IC / Storage Component |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Density | — | 16 Gb |
| Interfaz | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |