K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WM-BCTD par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WM-BCTD | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,95 | $7,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | FBGA-78 | 78FBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Type d'interface | Parallel (DDR4) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Rate | 1333 MHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups | Yes (DDR4) |
| Density Class | 16 Gbit monolithic DRAM | — |
| Application Class | Industrial / embedded memory | Memory IC / Storage Component |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Density | — | 16 Gb |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |