K4AAG085WM-BCTD vs K4AAG085WM-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WM-BCTD от Samsung Electronics и K4AAG085WM-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCTD - 16Gb DDR4-2666 SDRAM, 1.2V | Samsung
K4AAG085WM-BCTD ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG085WM-BCTD | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,95 | $7,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2666 | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | FBGA-78 | 78FBGA |
| Рабочая температура | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Тип интерфейса | Parallel (DDR4) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Rate | 1333 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 2666 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups | Yes (DDR4) |
| Density Class | 16 Gbit monolithic DRAM | — |
| Application Class | Industrial / embedded memory | Memory IC / Storage Component |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Density | — | 16 Gb |
| Интерфейс | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |