K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG085WM-BCWE von Samsung Electronics und K4AAG165WM-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,00 | $54,65 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Datenrate | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Gehäuse | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel (DDR4) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |