K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics y K4AAG165WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,00 | $54,65 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Encapsulado | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel (DDR4) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |