K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE 比較
詳細な並列比較: K4AAG085WM-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4AAG165WM-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.00 | $54.65 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| メモリ構成 | 2G x 8 | 256M x 16 (1G x 16) |
| データレート | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| パッケージ | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel (DDR4) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |