K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics e K4AAG165WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $7,00 | $54,65 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organização da memória | 2G x 8 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| Encapsulamento | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel (DDR4) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |