K4AAG165WA-BCPB vs K4AAG165WA-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG165WA-BCPB von Samsung Electronics und K4AAG165WA-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4AAG165WA-BCPB ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG165WA-BCPB | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $63,79 | $62,40 |
| Speichertyp | Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) | DDR4 SDRAM |
| Technology | DDR4 | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Density | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] | -40C to +95C |
| Memory Format | DRAM | DRAM (Volatile) |
| Packaging | Tray | Tray |
| Product Status | Active | Active |
| Power Consumption | 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 internal bank groups) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Max Capacity Family | Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) | — |
| Speichergröße | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Schnittstellentyp | — | Parallel, DDR4 |