K4AAG165WA-BCPB vs K4AAG165WA-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WA-BCPB par Samsung Electronics et K4AAG165WA-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB ✓ Actif
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCWE K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG165WA-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4AAG165WA-BCPB K4AAG165WA-BCWE
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $63,79 $62,40
Type de mémoire Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) DDR4 SDRAM
Technology DDR4 DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture
Density 16 Gb —
Organisation de la mémoire 1G x 16 —
Débit de données 3200 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Boîtier FBGA-96 96-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] -40C to +95C
Memory Format DRAM DRAM (Volatile)
Packaging Tray Tray
Product Status Active Active
Power Consumption 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 internal bank groups) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Max Capacity Family Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) —
Taille de mémoire — 16 Gb (2 GB)
Memory Organization — 1G x 16
Tension d'alimentation — 1.2 V
Package Dimensions — 13 x 9 mm
Ball Pitch — 0.8 mm
Type d'interface — Parallel, DDR4

Fiches techniques et ressources

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