K4AAG165WA-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4AAG165WA-BCTD von Samsung Electronics und K4AAG165WA-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD ✓ Aktiv
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K4AAG165WA-BCWE K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG165WA-BCWE ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WA-BCWE
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $60,59 $62,40
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb 16 Gb (2 GB)
Memory Organization 1G x 16 1G x 16
Datenrate 2666 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
Schnittstelle Synchronous, DDR4 —
Betriebstemperatur 0C to +85C -40C to +95C
Gehäuse 96-FBGA 96-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Memory Format Volatile (DRAM) DRAM (Volatile)
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
Technology Family DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) —
Application Class Computing, embedded, consumer main memory —
Package Family FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount —
Temperature Grade Commercial (0C to +85C) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Package Dimensions — 13 x 9 mm
Ball Pitch — 0.8 mm
Schnittstellentyp — Parallel, DDR4
Technology — DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture
Packaging — Tray
Product Status — Active

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