K4AAG165WA-BCTD vs K4AAG165WA-BCWE Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WA-BCTD por Samsung Electronics y K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD ✓ Activo
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCWE K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG165WA-BCWE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WA-BCWE
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $60,59 $62,40
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 16 Gb 16 Gb (2 GB)
Memory Organization 1G x 16 1G x 16
Velocidad de datos 2666 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Tensión de alimentación 1.2 V 1.2 V
Interfaz Synchronous, DDR4 —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C -40C to +95C
Encapsulado 96-FBGA 96-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Memory Format Volatile (DRAM) DRAM (Volatile)
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
Technology Family DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) —
Application Class Computing, embedded, consumer main memory —
Package Family FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount —
Temperature Grade Commercial (0C to +85C) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Package Dimensions — 13 x 9 mm
Ball Pitch — 0.8 mm
Tipo de interfaz — Parallel, DDR4
Technology — DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture
Packaging — Tray
Product Status — Active

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