K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WA-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4AAG165WA-BCWE von Samsung Electronics und K4AAG165WA-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4AAG165WA-BCPB ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WA-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $62,40 | $63,79 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) |
| Speichergröße | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] |
| Schnittstellentyp | Parallel, DDR4 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | DRAM |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | DDR4 |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | Tray |
| Product Status | Active | Active |
| Density | — | 16 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Power Consumption | — | 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 internal bank groups) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Max Capacity Family | — | Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) |