K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WA-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WA-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG165WA-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4AAG165WA-BCPB ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WA-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $62,40 | $63,79 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) |
| Taille de mémoire | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] |
| Type d'interface | Parallel, DDR4 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | DRAM |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | DDR4 |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | Tray |
| Product Status | Active | Active |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Power Consumption | — | 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 internal bank groups) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Max Capacity Family | — | Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) |