K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WA-BCPB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics e K4AAG165WA-BCPB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCWE K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG165WA-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4AAG165WA-BCWE ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4AAG165WA-BCWE K4AAG165WA-BCPB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $62,40 $63,79
Tipo de memória DDR4 SDRAM Volatile DRAM (DDR4 SDRAM)
Tamanho da memória 16 Gb (2 GB) —
Memory Organization 1G x 16 —
Taxa de dados 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 Mbps
Tensão de alimentação 1.2 V —
Encapsulamento 96-ball FBGA FBGA-96
Package Dimensions 13 x 9 mm —
Ball Pitch 0.8 mm —
Temperatura de operação -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade]
Tipo de interface Parallel, DDR4 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (Volatile) DRAM
Technology DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture DDR4
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray Tray
Product Status Active Active
Density — 16 Gb
Organização da memória — 1G x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Power Consumption — 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 internal bank groups)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Max Capacity Family — Up to 32GB component (Samsung DDR4 family)

Fichas técnicas e recursos

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