K4B4G1646D-BMH9 vs K4B4G1646D-BYK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BMH9 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BYK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BMH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $2,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Datenrate | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| CAS-Latenz | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| Versorgungsspannung | — | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |