K4B4G1646D-BMH9 vs K4B4G1646D-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BMH9 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BMH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $2,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Débit de données | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Latence CAS | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |