K4B4G1646D-BMH9 vs K4B4G1646D-BYK0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BMH9 por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BYK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BMH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $2,90 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Velocidad de datos | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Latencia CAS | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Número de pines | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |