K4B4G1646D-BPH90 vs W634GU6RB-12 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BPH90 von Samsung Electronics und W634GU6RB-12 von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BPH90 | W634GU6RB-12 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Winbond |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,60 | $9,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| Speicherorganisation | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Datenrate | 2133 Mb/s per pin | 1600 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.35V (DDR3L) | 1.35V |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) |
| CAS-Latenz | Programmable up to 14 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | DDR3L-1600 (11-11-11) |
| RoHS | — | Compliant |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | — | 96 |