K4B4G1646D-BPH90 vs W634GU6RB-12 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BPH90 par Samsung Electronics et W634GU6RB-12 par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BPH90 | W634GU6RB-12 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Winbond |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,60 | $9,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Débit de données | 2133 Mb/s per pin | 1600 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.35V (DDR3L) | 1.35V |
| Boîtier | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) |
| Latence CAS | Programmable up to 14 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | DDR3L-1600 (11-11-11) |
| RoHS | — | Compliant |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Nombre de broches | — | 96 |