K4B4G1646D-BPH90 vs W634GU6RB-12 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BPH90 por Samsung Electronics y W634GU6RB-12 por Winbond. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BPH90 | W634GU6RB-12 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Winbond |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,60 | $9,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Velocidad de datos | 2133 Mb/s per pin | 1600 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.35V (DDR3L) | 1.35V |
| Encapsulado | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) |
| Latencia CAS | Programmable up to 14 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit |
| Interfaz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | DDR3L-1600 (11-11-11) |
| RoHS | — | Compliant |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Número de pines | — | 96 |