K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16RE-125:D Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics und MT41K256M16RE-125:D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $4,19 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1333 Mbps | 1600 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| Betriebstemperatur | 0 ~ 85 °C | 0C to +95C (TC) |
| Gehäuse | 96FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |