K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16RE-125:D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics et MT41K256M16RE-125:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActifMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $4,19 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1333 Mbps | 1600 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Température de fonctionnement | 0 ~ 85 °C | 0C to +95C (TC) |
| Boîtier | 96FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latence CAS | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Type de mémoire | — | DDR3L SDRAM |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |