K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16RE-125:D 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BYH9 제조: Samsung Electronics 및 MT41K256M16RE-125:D 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.30 | $4.19 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 1333 Mbps | 1600 MT/s |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| 동작 온도 | 0 ~ 85 °C | 0C to +95C (TC) |
| 패키지 | 96FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS 레이턴시 | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| 메모리 유형 | — | DDR3L SDRAM |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |