K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16RE-125:D Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BYH9 por Samsung Electronics y MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActivoMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,30 | $4,19 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 1333 Mbps | 1600 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V |
| Temperatura de funcionamiento | 0 ~ 85 °C | 0C to +95C (TC) |
| Encapsulado | 96FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latencia CAS | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Tipo de memoria | — | DDR3L SDRAM |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |