K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB09I Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics und W634GU6RB09I von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB09I |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Winbond |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1333 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| Betriebstemperatur | 0 ~ 85 °C | -40C to +95C |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | Programmable | 20 ns |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 1.067 GHz |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Voltage - I/O | — | 1.35 V |