K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYH9 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYK0 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,90 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Datenrate | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0 ~ 85 °C |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |