K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYH9 비교
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Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.90 | $2.30 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | 0 ~ 85 °C |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| 핀 수 | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |