K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYH9 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,90 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Débit de données | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | 0 ~ 85 °C |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |