K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYH9 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BYK0 от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BYH9 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,90 | $2,30 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Рабочая температура | 0°C to 85°C | 0 ~ 85 °C |
| Задержка CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Количество выводов | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |