K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BMK0 von Samsung Electronics und K4B4G1646E-BYK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $1,80 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Gehäuse | 96-FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Datenrate | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Versorgungsspannung | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| CAS-Latenz | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |