K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYK0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BMK0 от Samsung Electronics и K4B4G1646E-BYK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $1,80 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Корпус | 96-FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Напряжение питания | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Задержка CAS | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |