K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYK0 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BMK0 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646E-BYK0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $1.80 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| 패키지 | 96-FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Yes |
| 공급 전압 | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| CAS 레이턴시 | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |