K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BMK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $1,80 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Latence CAS | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |