K4B4G1646E-BYK0 vs H5TC4G63CFR-H9A Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYK0 von Samsung Electronics und H5TC4G63CFR-H9A von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYK0 | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,80 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Datenrate | DDR3-1600 (800 MHz) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball TFBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (TC) | — |
| CAS-Latenz | 11 (CL-tRCD-tRP) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Betriebstemperaturbereich | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |