K4B4G1646E-BYK0 vs H5TC4G63CFR-H9A Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BYK0 от Samsung Electronics и H5TC4G63CFR-H9A от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BYK0 | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,80 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Скорость передачи данных | DDR3-1600 (800 MHz) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Корпус | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball TFBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Задержка CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |