K4B4G1646E-BYK0 vs H5TC4G63CFR-H9A Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics et H5TC4G63CFR-H9A par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYK0 | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,80 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Débit de données | DDR3-1600 (800 MHz) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball TFBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Latence CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |