K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646Q von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BFMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenbusbreite | 16 bits | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.5V |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| CAS-Latenz | Programmable | Programmable |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |