K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646Q por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.5V |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Latencia CAS | Programmable | Programmable |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |