K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646Q par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BFMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.5V |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Latence CAS | Programmable | Programmable |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |