K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646Q от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BFMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Разрядность шины данных | 16 bits | — |
| Напряжение питания | 1.35V | 1.5V |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Задержка CAS | Programmable | Programmable |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |