K4B4G1646Q vs K4B4G1646D-BFMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646Q por Samsung Electronics e K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646Q | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Largura do barramento de dados | 16 bits | — |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.5V |
| Taxa de dados | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Latência CAS | Programmable | Programmable |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |