K4RAH086VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BCQK | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $41.02 | — |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 2G x 8 | 1G x 16 |
| معدل البيانات | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| جهد التغذية | 1.1 V | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Technology | DDR5 | — |
| ECC | On-die ECC | — |
| العلبة | FBGA-82 | 106-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Active | — |
| Operating Mode | DLL Enabled mode | — |
| Series | K4RAH0x6VB (DDR5 16Gb B-die family) | — |
| Packaging | Tray | Tray |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| الميزات | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| حالة دورة الحياة | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |