K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48AGBDX018N Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BIQK von Samsung Electronics und H5CG48AGBDX018N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VB-BIQK | H5CG48AGBDX018N |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,25 | $87,42 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2G x 8) |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| Gehäuse | 82FBGA | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| Schnittstelle | DDR5 (CA reduced pin count) | JEDEC DDR5 |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| RoHS-Status | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Bus Width | — | 8 bit |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Memory Generation | — | DDR5 (SK hynix A-die) |
| Clock Frequency | — | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) |
| Application Class | — | Computing, industrial controllers, embedded logging |