K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48AGBDX018N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BIQK par Samsung Electronics et H5CG48AGBDX018N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BIQK | H5CG48AGBDX018N |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,25 | $87,42 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2G x 8) |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| Boîtier | 82FBGA | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| Interface | DDR5 (CA reduced pin count) | JEDEC DDR5 |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Bus Width | — | 8 bit |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Memory Generation | — | DDR5 (SK hynix A-die) |
| Clock Frequency | — | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) |
| Application Class | — | Computing, industrial controllers, embedded logging |