K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48AGBDX018N 比較

詳細な並列比較: K4RAH086VB-BIQK メーカー: Samsung Electronics および H5CG48AGBDX018N メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ 生産中
SK hynix
H5CG48AGBDX018N H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH086VB-BIQK H5CG48AGBDX018N
ブランド Samsung Electronics SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.25 $87.42
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb (2G x 8)
メモリ構成 2G x 8 2G x 8
データレート 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
パッケージ 82FBGA 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball)
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
インターフェース DDR5 (CA reduced pin count) JEDEC DDR5
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) [DATA_NEEDED: RoHS status]
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
電源電圧 — 1.1 V
Bus Width — 8 bit
実装タイプ — Surface Mount
Memory Generation — DDR5 (SK hynix A-die)
Clock Frequency — up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps)
Application Class — Computing, industrial controllers, embedded logging

データシート&リソース

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