K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48AGBDX018N Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BIQK от Samsung Electronics и H5CG48AGBDX018N от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Активен
SK hynix
H5CG48AGBDX018N H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4RAH086VB-BIQK H5CG48AGBDX018N
Бренд Samsung Electronics SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,25 $87,42
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb (2G x 8)
Организация памяти 2G x 8 2G x 8
Скорость передачи данных 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Корпус 82FBGA 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball)
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
Интерфейс DDR5 (CA reduced pin count) JEDEC DDR5
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
Статус RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Напряжение питания — 1.1 V
Bus Width — 8 bit
Тип монтажа — Surface Mount
Memory Generation — DDR5 (SK hynix A-die)
Clock Frequency — up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps)
Application Class — Computing, industrial controllers, embedded logging

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену