K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCWM Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BIQK von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BCWM
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,25 $44,55
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Speicherorganisation 2G x 8 2G x 8
Datenrate 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Gehäuse 82FBGA FBGA-82
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) BCWM
ECC On-die ECC (DDR5 standard) On-die ECC
Schnittstelle DDR5 (CA reduced pin count) DDR5 (parallel)
Burst Length 16 / 32 32 (BL32, DDR5 standard)
Operating Mode DLL enabled —
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range (per datasheet)
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Speichergröße — 16 Gb
Versorgungsspannung — 1.1 V
Montageart — Surface Mount
Technology — DRAM (volatile)
Lebenszyklusstatus — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

Datenblätter & Ressourcen

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